技術(shù)背景與行業(yè)痛點

半導體制造進入納米級工藝時代，晶圓缺陷檢測面臨三大挑戰(zhàn)：

1）深紫外波段光學噪聲干擾：傳統(tǒng)偏振片在200-400nm波段透光率不足，導致缺陷信號被噪聲掩蓋；

2）真空腔體污染風險：雜散光吸收材料釋氣率超標引發(fā)EUV光刻系統(tǒng)穩(wěn)定性下降；

3）套刻誤差測量精度不足：位置探測器線性度誤*＞0.5%時，28nm以下圖形套刻偏差難以控制。

本方案整合Moxtek、Acktar、On-Trak三家光學元件產(chǎn)品，覆蓋“光路控制-雜散光抑制-定位測量"等方面檢測需求，為28nm以下晶圓缺陷檢測技術(shù)提供關(guān)鍵光學元件支撐。

核心光學元件技術(shù)解析

Moxtek金屬線柵紫外偏振片

型號：UVT240A/UVX240A/UVD240A/UCMNATC0

技術(shù)突破：

• 200-400nm波段＞80%透光率：采用納米線柵刻蝕技術(shù)，在266nm典型波長下透過率＞80%，消光比＞1000:1；可升級193nm偏振片

• 250℃耐熱鍍膜：滿足半導體檢測設(shè)備高溫工況需求，鍍膜層無熱變形。

應(yīng)用場景：用于晶圓缺陷檢測設(shè)備，可有效提高缺陷檢測尺度；光刻膠曝光，可有效提供曝光分辨率

關(guān)鍵性能參數(shù)：

Acktar雜散光吸收膜：消除晶圓缺陷檢測設(shè)備光路中雜散光

型號：Magic Black/Vacuum Black/Fractal Black/Ultra Black/Metal Velvet

技術(shù)突破：

• 非金屬無機涂層：100%無機物構(gòu)成，CVCM釋氣率＜0.001%，RML釋氣率＜0.2%；

• EUV-VIS-IR全波段吸收：工作波長覆蓋EUV-FIR（極紫外至遠紅外），涂層厚度很薄，完*由非金屬和氧化物構(gòu)成，不含有機物質(zhì)，涂層厚度3-25μm可控。

• 廣泛適用性：氣體釋放量極低，與蝕刻和剝離工藝完*兼容，適用于真空、低溫和潔凈室環(huán)境

應(yīng)用場景：消除晶圓缺陷檢測設(shè)備光路中雜散光，可有效提高缺陷檢測尺度

關(guān)鍵性能參數(shù)：

On-Trak位置靈敏探測器：納米級套刻誤差測量儀

型號：PSM2-4/PSM2-10/PSM2-20/PSM2-45

技術(shù)突破：

• 0.1%線性度誤差：采用雙橫向硅探測器結(jié)構(gòu)，PSM2-4型號位置分辨率達100nm；

• 5nm位置分辨率：PSM2-10G針墊式四橫向鍺探測器在800-1800nm波段實現(xiàn)5μm分辨率。

應(yīng)用場景：在半導體應(yīng)用中，位置靈敏探測器因其能夠精確測量光點、粒子束或輻射的位置信息而發(fā)揮著關(guān)鍵作用，主要應(yīng)用于需要高精度定位、對準、測量和控制的設(shè)備和工藝環(huán)節(jié)。

關(guān)鍵性能參數(shù)：

PRO紫外反射鏡組：復(fù)雜光路緊湊化設(shè)計

型號：PRO#120/PRO#160/PRO#190

技術(shù)突破：

• 120-320nm定制波長：反射/透射率＞40%，支持EUV光刻機對準系統(tǒng)設(shè)計；

• 緊湊化光路設(shè)計：直徑25.4-50.8mm可選，適配不同檢測設(shè)備空間需求。

應(yīng)用場景：適用于晶圓表面的缺陷檢測，光刻機（對準和監(jiān)控系統(tǒng)），套刻誤差測量儀；

關(guān)鍵性能參數(shù)

結(jié)語：

本方案通過整合國*領(lǐng)*的光學元件，構(gòu)建了28nm以下晶圓缺陷檢測的“光學基準元件"方案。其核心價值在于突破深紫外波段光學控制、真空環(huán)境兼容性、納米級測量三大技術(shù)壁壘，為中國半導體制造向14nm、7nm工藝躍遷提供關(guān)鍵檢測技術(shù)關(guān)鍵元件支撐。

讓每一顆芯片的缺陷無所遁形——這是光學技術(shù)的極限挑戰(zhàn)，更是中國半導體制造的精度宣言。